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怎样正确给MOS管加散热片

如何准确给MOS管加散热片

在电子电路规划傍边,许多情况下都要思考EMC的疑问。在规划中运用MOS管时,在增加散热片时可能会呈现一种对比纠结的情况。当MOS管的EMC经过期,散热片需要接地,而在散热片不接地的情况下,EMC是无法经过的。那么为何会呈现这种景象呢?

简略来说,对于传导能够将一些开关辐射经过散热器传导到大地回路,削弱了走传输线,让流转的路径更多了。对于辐射,没接地的散热器不仅没优点,反而是辐射发射源,对EMC害处更大,一起接地了,能起到必定的屏蔽作用,所以布板时,将大电解电容用来做屏蔽用,将IC放在大电解电容下面防止搅扰都是这个道理。

共模搅扰

打扰经过MOS管与散热片寄生电容、LISN、以及L、N线回来到源。假如MOS管接地的话,在打扰电压必定的情况下,阻抗很低,打扰电流很大,致使CE测试失效。

开关管由导通切换为关断状况时,脉冲变压器分布电感贮存的能量,将与C1发生振动,致使开关管C、E之间的电压敏捷上升达500V左右,构成浪涌电压。并发生按开关频率作业的脉冲串电流,经集电极和散热器之间的分布电容Ci及变压器初,次级之间的分布电容Cd回来AC线构成共模打扰电流。

开关管由关断切换为导通状况时,C1经过开关管放电构成浪涌电流发生差模打扰。

减少开关管集电极和散热片之间的耦合电容Ci。能够选用低介电常数的资料作绝缘垫,加厚垫片的厚度。也能够用静电屏蔽的办法。例如,在集电极和散热片之间垫上一层夹心绝缘物,即绝缘物中间夹一层铜箔,作为静电屏蔽层,并接在输入直流OV地上,散热片仍接机壳地,这层静电屏蔽层将大大减小集电极和散热片之间的电场耦合。

如图1所示,减少开关管集电极和散热片之间的耦合电容Ci。能够选用低介电常数的资料作绝缘垫,加厚垫片的厚度。也能够用静电屏蔽的办法。例如,在集电极和散热片之间垫上一层夹心绝缘物,即绝缘物中间夹一层铜箔,作为静电屏蔽层,并接在输入直流OV地上,散热片仍接机壳地,这层静电屏蔽层将大大减小集电极和散热片之间的电场耦合。

开关电源和散热片之间的静电屏蔽

如图2所示,即将共模搅扰转化为差模,回流的源中,不经过LISN。

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